明年的iPhone16和iPhone16Plus预计将采用性能更好的A17ProSoC，采用台积电N3E工艺制造。刚刚发布的iPhone15Pro和iPhone15ProMax采用了基于台积电N3B工艺设计的A17Pro。然而，该工艺与其他台积电3nm节点不兼容，这意味着苹果将不得不为新的N3E节点重新设计A17Pro。
iPhone15系列刚刚出炉，但有关苹果明年iPhone计划的花絮已经流传了一段时间。虽然众所周知，今年的ProSoC将出现在来年的非Pro机型中，但我们了解到，苹果将在iPhone16和iPhone16Plus中使用增强型A17ProSoC。
A17Pro是全球首款3纳米SoC。iPhone15Pro和iPhone15ProMax也是首款配备8GBRAM的iPhone。因此，海通国际证券分析师JeffPu表示，明年的iPhone16和iPhone16Plus可能会配备A17Pro和8GBLPDDR5RAM。
Pu的投资者指出，A17Pro和A18Pro(?)将采用台积电的N3E工艺制造，该工艺是增强型3纳米节点。这与A17Pro目前使用的N3B工艺略有不同。
从N3B转向N3E应该会带来相当大的性能提升，但代价是一些效率损失。与N3B相比，这可能是由于N3E的极紫外(EUV)层数较少且晶体管密度较低。
N3B更多的是为苹果创建的测试平台，但它与即将推出的台积电3纳米工艺(例如N3P、N3X和N3S)不兼容。这意味着苹果将不得不重新设计，让A17Pro适合N3E工艺，本质上是创建一个新的SoC，但名称相同。
据认为，苹果最初瞄准N3B是为了A16Bionic，但由于技术延迟而不得不选择N4。因此，苹果现在有可能在第一批A17Pro芯片中使用N3B，并计划最终在2024年切换到N3E。如果早期的A17Pro基准测试可以作为参考，那么苹果很乐意采取一些急需的性能略微效率权衡的提升。
话虽如此，iPhone16的传闻并不新鲜。此前，我们已经看到苹果正在考虑为自拍相机打孔，而所有FaceID技术都将隐藏在显示屏下方。
预计2024年iPhone16Pro机型也将采用苹果在iPhone15ProMax中引入的潜望镜式镜头设计，以及更大的6.9英寸Ultra型号。